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APT33GF120HR
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
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原裝正品，假一罰十

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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
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TO
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假一罰十，百分百原裝正品

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

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深圳市中平科技有限公司
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聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
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聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs

APT33GF120HR 技術(shù)參數(shù)

APT33GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:52A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):104A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:297W 開關(guān)能量:2.8mJ（開）， 2.8mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:25ns/210ns 測試條件:- 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33GF120B2RDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:1.315μJ（開），1.515μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:14ns/185ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT32M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:303nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9326pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT32F120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18200pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT3216ZGCK 功能描述:Green 525nm LED Indication - Discrete 3.3V 1206 (3216 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效顏色:綠透鏡顏色:無色透鏡透明度:透明毫燭光等級:350mcd 透鏡樣式/尺寸:矩形，帶平頂，2.00mm x 1.60mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:3.3V 電流 - 測試:20mA 視角:120° 安裝類型:表面貼裝波長 - 主:525nm 波長 - 峰值:515nm 特性:- 封裝/外殼:1206（3216 公制）供應(yīng)商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:3.20mm 長 x 1.60mm 寬高度（最大值）:0.75mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT34M60B APT34N80B2C3G APT34N80LC3G APT35DL120HJ APT35GA90B APT35GA90BD15 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B