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APT36GA60S

APT36GA60S
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D3PAK，TO-268
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT36GA60SD15
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT36GA60SD15
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Microchip Technology
TO-268-3，D?Pak（2 引線
21+
-
質(zhì)量保真，價格實惠，假一罰十

APT36GA60S
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
D3
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

APT36GA60SD15
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
198
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
High Speed PT IGBT

APT36GA60S 技術(shù)參數(shù)

APT36GA60BD15 功能描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):109A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:290W 開關(guān)能量:307μJ（開），254μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:18nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT36GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):109A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:290W 開關(guān)能量:307μJ（開），254μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:102nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GT120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:260W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.53nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GT120JU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:260W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.53nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.24nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ APT40DS10HJ APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3