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APT40GP60F2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
APT
TO
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT40GP60F2
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
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聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
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價(jià)格優(yōu)勢(shì)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

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深圳市琦凌凱科技有限公司
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聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
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NULL
22+
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十年配單，只做原裝

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深圳市中平科技有限公司
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聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
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直插/貼片
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絕對(duì)現(xiàn)貨

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APT40GP60F2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APT40GP60F2 技術(shù)參數(shù)

APT40GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:385μJ（開），352μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:135nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:20ns/64ns 測(cè)試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:385μJ（開），350μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:135nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:20ns/64ns 測(cè)試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GLQ120JCU2 功能描述:POWER MOD 1200V 80A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:2.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GL120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 65A 220W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.25V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.95nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GL120JU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 65A 220W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.25V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.95nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GR120S APT40GT60BRG APT40M35JVFR APT40M42JN APT40M70JVFR APT40M70LVFRG APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2