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APT40GP90JDQ2MI

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    APT40GP90JDQ2MI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • SOT-227

  • 11+

  • -

  • 100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

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  • 1
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APT40GP90JDQ2MI 技術(shù)參數(shù)
  • APT40GP90JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP90J 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 68A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:68A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:825μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:16ns/75ns 測(cè)試條件:600V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP90B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:101A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:795μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:14ns/90ns 測(cè)試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP60SG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:385μJ（開(kāi)），352μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:135nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:20ns/64ns 測(cè)試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2
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