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APT40M85JVR

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  • APT40M85JVR
    APT40M85JVR

    APT40M85JVR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • APT

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • APT40M85JVR
    APT40M85JVR

    APT40M85JVR

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APT

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -

  • 只做原裝正品

  • APT40M85JVR
    APT40M85JVR

    APT40M85JVR

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • APT

  • 正品封裝

  • 23+

  • -

  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

  • APT40M85JVR
    APT40M85JVR

    APT40M85JVR

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • APT

  • 原廠原裝

  • 19+

  • -

  • 只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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APT40M85JVR 技術(shù)參數(shù)
  • APT40M75JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:370nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 28A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準包裝:1 APT40M70LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:57A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準包裝:1 APT40M70JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:53A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準包裝:1 APT40M42JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:86A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:760nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:690W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 43A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準包裝:1 APT40M35JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:93A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 46.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1065nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20160pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準包裝:1 APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30
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