您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 >

APT45GD120JDQ2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT45GD120JDQ2
    APT45GD120JDQ2

    APT45GD120JDQ2

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人:陳先生13360533550

    電話:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 13024

  • APT

  • MODULE

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APT45GD120JDQ2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT45GD120JDQ2 技術參數
  • APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.6V @ 15V,26A 功率 - 最大值:337W 開關能量:409μJ(開),450μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td(開/關)值:16ns/102ns 測試條件:400V,26A,4.7 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT44GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,26A 功率 - 最大值:337W 開關能量:409μJ(開),258μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td(開/關)值:16ns/84ns 測試條件:400V,26A,4.7 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT44GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,26A 功率 - 最大值:337W 開關能量:409μJ(開),258μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td(開/關)值:16ns/84ns 測試條件:400V,26A,4.7 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT44F80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT44F80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG
配單專家

在采購APT45GD120JDQ2進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買APT45GD120JDQ2產品風險,建議您在購買APT45GD120JDQ2相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的APT45GD120JDQ2信息由會員自行提供,APT45GD120JDQ2內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (massivemove.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號