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APT45GF60BN

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  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247
APT45GF60BN 技術(shù)參數(shù)
  • APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.6V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），450μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/102ns 測(cè)試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT44GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），258μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/84ns 測(cè)試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），258μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/84ns 測(cè)試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44F80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:47A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44F80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:47A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG
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