APT45GP120B2DQ2GMI

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT45GP120B2DQ2GMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
T-MAX?
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

1/1頁 40條/頁共1條
1

您是不是要找： APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40

APT45GP120B2DQ2GMI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APT45GP120B2DQ2GMI 技術(shù)參數(shù)

APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:113A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ（開），905μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/100ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.6V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），450μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/102ns 測試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT44GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），258μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/84ns 測試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），258μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/84ns 測試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44F80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG