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APT45GP120JDQ2MI

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    APT45GP120JDQ2MI

    APT45GP120JDQ2MI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • SOT-227

  • 11+

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  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

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APT45GP120JDQ2MI 技術(shù)參數(shù)
  • APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 電流 - 集電極截止(最大值):750μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.94nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ(開),904μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:18ns/102ns 測試條件:600V,45A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):113A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ(開),905μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:185nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:18ns/100ns 測試條件:600V,45A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.6V @ 15V,26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ(開),450μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/102ns 測試條件:400V,26A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG
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