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APT45M100JMI

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  • APT45M100JMI
    APT45M100JMI

    APT45M100JMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • SOT-227

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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APT45M100JMI 技術(shù)參數(shù)
  • APT45M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):45A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):570nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GR65SSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 開(kāi)關(guān)能量:900μJ(開(kāi)),580μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN
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