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APT50GS60SRG

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  • APT50GS60SRG
    APT50GS60SRG

    APT50GS60SRG

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Thunderbolt High Speed NPT IGBT
APT50GS60SRG 技術(shù)參數(shù)
  • APT50GS60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.15V @ 15V,50A 功率 - 最大值:415W 開關(guān)能量:755μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:235nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/225ns 測試條件:400V,50A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.15V @ 15V,50A 功率 - 最大值:415W 開關(guān)能量:755μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:235nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/225ns 測試條件:400V,40A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):25ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 93A 415W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.15V @ 15V,50A 功率 - 最大值:415W 開關(guān)能量:755μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:235nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/225ns 測試條件:400V,50A,4.7 歐姆,15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,50A 功率 - 最大值:694W 開關(guān)能量:2.14mJ(開),1.48mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:445nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:28ns/237ns 測試條件:600V,50A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):5.55nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6
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