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APT50M60JNF

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 71A I(D)

APT50M60JNF 技術(shù)參數(shù)

APT50M50JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:71A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 35.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10550pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50M38JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:88A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT50GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:446W 開關(guān)能量:995μJ（開），1070μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:240nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:14ns/240ns 測試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:446W 開關(guān)能量:995μJ（開），1070μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:240nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:14ns/240ns 測試條件:400V，50A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:106A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關(guān)能量:2585μJ（開），1910μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:240nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:23ns/215ns 測試條件:800V，50A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6 APT54GA60B APT54GA60BD30 APT5510JFLL APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2