APT54GA60SD30

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APT54GA60SD30
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc,iscsemi
D3PAK，TO-268
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

APT54GA60SD30
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
D3
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： APT5510JFLL APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2

APT54GA60SD30 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APT54GA60SD30 PDF下載

制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
High Speed PT IGBT

APT54GA60SD30 技術(shù)參數(shù)

APT54GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 開關(guān)能量:534μJ（開），466μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:17ns/112ns 測(cè)試條件:400V，32A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT54GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 開關(guān)能量:534μJ（開），466μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:158nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:17ns/112ns 測(cè)試條件:400V，32A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT53N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 25.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.72mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4020pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT53F80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:57A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 43A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT51M50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11600pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56M50L APT56M60B2 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN