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APT5518SFLL

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • 說明
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  • APT5518SFLL
    APT5518SFLL

    APT5518SFLL

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • APT5518SFLL
    APT5518SFLL

    APT5518SFLL

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • APT

  • D3 [S]

  • 09/10+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
APT5518SFLL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • POWER MOS 7 FREDFET
APT5518SFLL 技術(shù)參數(shù)
  • APT5518BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 15.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3286pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT5510JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:124nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5823pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT54GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 開關(guān)能量:534μJ（開），466μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:17ns/112ns 測(cè)試條件:400V，32A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT54GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 開關(guān)能量:534μJ（開），466μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:158nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:17ns/112ns 測(cè)試條件:400V，32A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT53N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 25.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.72mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4020pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN APT6040BNG APT60D100BG
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