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APT55600AN

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APT55600AN 技術(shù)參數(shù)
  • APT5518BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):550V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):31A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 15.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3286pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT5510JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):550V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):44A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 22A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):124nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5823pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT54GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,32A 功率 - 最大值:416W 開關(guān)能量:534μJ(開),466μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:17ns/112ns 測(cè)試條件:400V,32A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT54GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,32A 功率 - 最大值:416W 開關(guān)能量:534μJ(開),466μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:158nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:17ns/112ns 測(cè)試條件:400V,32A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT53N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):53A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 25.8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.72mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):154nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4020pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN APT6040BNG APT60D100BG
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