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APT56H50J

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APT56H50J
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
MICROSEMI
MODULE
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

APT56H50J
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
26550
正品封裝
23+
-
正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

APT56H50J
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
SOT-227
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

APT56H50J
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
250
APT
56A/500V/MOS/1U
2024+
-
全新現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢

APT56H50J
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
98653
原廠
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

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APT56H50J 技術(shù)參數(shù)

APT56F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56F50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8800pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56F50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8800pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT55M65JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:63A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 31.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:205nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9165pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN APT6040BNG APT60D100BG APT60D100LCTG APT60D100SG APT60D120BG APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG