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APT6010JFLLX

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APT6010JFLLX 技術參數(shù)
  • APT6010B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):54A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 27A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6710pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:30 APT5F100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1409pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT58MJ50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):初步 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):58A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):340nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 42A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標準包裝:1 APT58M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):58A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 43A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT58M50JU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):58A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):340nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):10800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):543W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 42A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標準包裝:1 APT60D100SG APT60D120BG APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG APT60D30BG APT60D30LCTG APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG
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