APT60CF120JRD

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APT60CF120JRD
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
N/A
-
假一罰十，百分百原裝正品

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APT60CF120JRD 技術(shù)參數(shù)

APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT6040BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT6030BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 11.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT6017LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT6017LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG APT60DQ120LCTG APT60DQ60BCTG APT60DQ60BG APT60DS04HJ APT60DS10HJ APT60DS20HJ APT60GA60JD60