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APT7846NI

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APT7846NI 技術(shù)參數(shù)
  • APT77N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):77A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 44.4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT77N60JC3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):77A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):640nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):77A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 44.4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L
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