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APT7846ODAA1

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    APT7846ODAA1

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
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    聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理

    電話：0755-83254770

    地址：深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

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APT7846ODAA1 技術(shù)參數(shù)
  • APT77N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:77A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 44.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT77N60JC3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:77A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:640nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:77A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 44.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L
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