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APT80GA60BG

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APT80GA60BG 技術(shù)參數(shù)
  • APT80GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:840μJ（開(kāi)），751μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:230nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:23ns/158ns 測(cè)試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:84A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:598nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23994pF @ 25V 功率 - 最大值:961W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT8075BN 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 6.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT8024LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 15.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4670pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT8024LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 15.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4670pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT84F50L APT84M50B2 APT84M50L APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B
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