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APT80GA90S

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • APT80GA90S
    APT80GA90S

    APT80GA90S

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-268-3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APT80GA90S
    APT80GA90S

    APT80GA90S

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 9688

  • TI

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • APT80GA90S
    APT80GA90S

    APT80GA90S

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • D3

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • APT80GA90S
    APT80GA90S

    APT80GA90S

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APT80GA90S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • APT80GA90S - Rail/Tube
APT80GA90S 技術(shù)參數(shù)
  • APT80GA90LD40 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:1652μJ（開），1389μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/149ns 測試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:1652μJ（開），1389μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/149ns 測試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:840μJ（開），751μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:230nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/158ns 測試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:840μJ（開），751μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:230nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/158ns 測試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:84A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:598nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23994pF @ 25V 功率 - 最大值:961W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC
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