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APT8DQ60KCT
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
14124
APT
直插/貼片
2024+
-
代理商庫房現(xiàn)貨

APT8DQ60KCT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-220
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

APT8DQ60KCT
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220-3
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

APT8DQ60KCT
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-220 [K]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

APT8DQ60KCT
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT8DQ60KCTG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
APT(MICROSEMI)
標準封裝
TO-220 [K]
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT8DQ60KCT
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

APT8DQ60KCT 技術(shù)參數(shù)

APT85GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 開關(guān)能量:6mJ（開），3.8mJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:660nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:43ns/300ns 測試條件:600V，85A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT85GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT85GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT85GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX? 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 開關(guān)能量:6mJ（開），3.8mJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:660nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:43ns/300ns 測試條件:600V，85A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標準包裝:1 APT84M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:84A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01