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APT8DQ60KCTG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APT8DQ60KCTG
    APT8DQ60KCTG

    APT8DQ60KCTG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • TO-220

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

  • APT8DQ60KCTG
    APT8DQ60KCTG

    APT8DQ60KCTG

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • TO-220 [K]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • APT8DQ60KCTG
    APT8DQ60KCTG

    APT8DQ60KCTG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • APT(MICROSEMI)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • TO-220 [K]

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • APT8DQ60KCTG
    APT8DQ60KCTG

    APT8DQ60KCTG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • APT(MICROSEMI)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • TO-220 [K]

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • APT8DQ60KCTG
    APT8DQ60KCTG

    APT8DQ60KCTG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • APT(MICROSEMI)

  • TO-220

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
APT8DQ60KCTG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE ULT FAST 2X8A 600V TO-220
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列
  • 系列
  • -
  • 其它有關(guān)文件
  • STTH10LCD06C View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • -
  • 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）
  • 2V @ 5A
  • 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電
  • 1µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）
  • 5A
  • 電壓 - (Vr)（最大）
  • 600V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • 50ns
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）
  • 二極管配置
  • 1 對共陰極
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • D2PAK
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1553 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • 497-10107-2
APT8DQ60KCTG 技術(shù)參數(shù)
  • APT85GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 開關(guān)能量:6mJ（開），3.8mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:660nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:43ns/300ns 測試條件:600V，85A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT85GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:8.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT85GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:8.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT85GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX? 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 開關(guān)能量:6mJ（開），3.8mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:660nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:43ns/300ns 測試條件:600V，85A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT84M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:84A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01
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