APT90GF100JN

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說明
操作

APT90GF100JN
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質：營業(yè)執(zhí)照
20436
APT
MODULE
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

APT90GF100JN
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
模塊
00+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT90GF100JN
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
SOT-227
APT
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應

APT90GF100JN
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
MODULE
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 90A I(C)

APT90GF100JN 技術參數(shù)

APT90DR160HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1600V Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:1600V 電流 - DC 正向（If）:* 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT8M80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1335pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT8M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1885pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT8DQ60KCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 8A Through Hole TO-220-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管配置:1 對共陰極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.4V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:19ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 600V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT85GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 開關能量:6mJ（開），3.8mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:660nC 25°C 時 Td（開/關）值:43ns/300ns 測試條件:600V，85A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01