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APT9F100S

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  • APT9F100S
    APT9F100S

    APT9F100S

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • APT9F100S
    APT9F100S

    APT9F100S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • D3S

  • 最新批號

  • -

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  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
APT9F100S 技術(shù)參數(shù)
  • APT9F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2606pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT97N65LC6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:97A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 48.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 2.96mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7650pF @ 25V 功率 - 最大值:862W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):380A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:446W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:29ns/226ns 測試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT95GR65B2 功能描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:208A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):400A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:892W 開關(guān)能量:3.12mJ（開），2.55mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:29ns/226ns 測試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT94N65B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:95A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 35.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:320nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8140pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG APTC60AM35T1G
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