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APTC60AM35SG

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    APTC60AM35SG

    APTC60AM35SG

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • SP6

  • 11+

  • -
  • 100%進口原裝正品,只做原裝

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  • 1
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APTC60AM35SG 技術(shù)參數(shù)
  • APTC60AM35SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):72A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM24T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM24SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(相角) FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM242G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM18SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):143A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 71.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1036nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28000pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DAM18CTG APTC60DAM24T1G APTC60DAM35T1G APTC60DDAM24T3G APTC60DDAM35T3G APTC60DDAM45T1G APTC60DDAM70T1G APTC60DDAM70T3G APTC60DHM24T3G APTC60DSKM24T3G APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G
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