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APTC60TAM35PG

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  • APTC60TAM35PG
    APTC60TAM35PG

    APTC60TAM35PG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTC60TAM35PG
    APTC60TAM35PG

    APTC60TAM35PG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6-P
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC60TAM35PG 技術(shù)參數(shù)
  • APTC60TAM24TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60TAM21SCTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:116A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:580nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13000pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:72A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60SKM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60SKM24CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:462W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G
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