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APTCC3066

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  • APTCC3066
    APTCC3066

    APTCC3066

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽(yáng)先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號(hào)

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APT

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -

  • 只做原裝正品

  • APTCC3066
    APTCC3066

    APTCC3066

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • APT

  • MODULE

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨?。?/p>

  • APTCC3066
    APTCC3066

    APTCC3066

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • APT

  • 原廠原裝

  • 19+

  • -

  • 只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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APTCC3066 技術(shù)參數(shù)
  • APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:462W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK
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