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APTGV100H60BTPG

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  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • APTGV100H60BTPG
    APTGV100H60BTPG

    APTGV100H60BTPG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • APTGV100H60BTPG
    APTGV100H60BTPG

    APTGV100H60BTPG

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT NPT BST CHOP FU

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
APTGV100H60BTPG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGV100H60BTPG 技術參數
  • APTGTQ50TA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:125W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ200SK65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ200DA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ200A65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ150TA65TPG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:365W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:150μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D
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