APTX100ED

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價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTX100ED
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
APT
PLCC
00+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APTX100ED
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
853240
APT
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理，原裝正品現(xiàn)貨！！

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APTX100ED 技術(shù)參數(shù)

APTSM120TAM33CTPAG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:112A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 60A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:408nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7680pF @ 1000V 功率 - 最大值:714W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM55CT1AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:272nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5120pF @ 1000V 功率 - 最大值:470W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:148A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 80A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:544nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM14CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:337A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 180A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1224nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23000pF @ 1000V 功率 - 最大值:2140W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM09CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 AP-UM001GR13CS-2T AP-UM001GR23CS-2NRT AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST AP-UM001GT40EG-2NRT