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AT-42036-TR1G

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • AT-42036-TR1G
    AT-42036-TR1G

    AT-42036-TR1G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • 原廠品牌

  • 原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 14+

  • -

  • 全新原裝，進(jìn)口現(xiàn)貨，準(zhǔn)時(shí)交貨，量大優(yōu)惠

  • AT-42036-TR1G
    AT-42036-TR1G

    AT-42036-TR1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AVAGO

  • SMT-36

  • 最新批號(hào)

  • -

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  • 1
AT-42036-TR1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 最大工作頻率
  • 7000 MHz
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 15 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • 2 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-223
  • 封裝
  • Reel
AT-42036-TR1G 技術(shù)參數(shù)
  • AT-42036-BLKG 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD（36 micro-X） 供應(yīng)商器件封裝:36 micro-X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 AT-42035G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD（35 micro-X） 供應(yīng)商器件封裝:35 micro-X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 AT-42010 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD（100 密耳） 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 AT-42000-GP4 功能描述:TRANSISTOR NPN BIPOLAR CHIP 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10.5dB ~ 14dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:芯片 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 AT-420(40) 功能描述:RF Attenuator 20dB ±0.5dB 0 ~ 13GHz 50 Ohm 2W 制造商:hirose electric co ltd 系列:- 零件狀態(tài):有效 衰減值:20dB 容差:±0.5dB 頻率范圍:0 ~ 13GHz 功率（W）:2W 阻抗:50 歐姆 封裝/外殼:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AT421D AT421E AT421F AT421G AT-4228-TF-LW145 AT-4228-TF-LW145-R AT-4228-TWT-F-R AT422A AT422B AT422C AT422E AT422F AT422G AT-4230-TF-LW135-R AT423A AT423C AT424A AT426A
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