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ATP153SM

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
ATP153SM PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • CRYSTAL 15.360 MHZ 20PF SMD
  • RoHS
  • 類別
  • 晶體和振蕩器 >> 晶體
  • 系列
  • ATP-SM
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • ABLS2
  • 類型
  • MHz 晶體
  • 頻率
  • 3.579545MHz
  • 頻率穩(wěn)定性
  • ±30ppm
  • 頻率公差
  • ±30ppm
  • 負載電容
  • 18pF
  • ESR(等效串聯(lián)電阻)
  • 180 歐姆
  • 工作模式
  • 基諧
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 額定值
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • HC49/US
  • 尺寸/尺寸
  • 0.449" L x 0.185" W(11.40mm x 4.70mm)
  • 高度
  • 0.130"(3.30mm)
  • 包裝
  • 剪切帶 (CT)
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1683 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • 535-9855-1
ATP153SM 技術(shù)參數(shù)
  • ATP114-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):55A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 28A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP113-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):29.5 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP112-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1450pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP108-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):79.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK
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