AUIRF1018ESTRR

配單專家企業(yè)名單

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封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

AUIRF1018ESTRRPBF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
IR
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品公司現(xiàn)貨！

AUIRF1018ESTRR
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
INTERNATI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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1

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功能描述
MOSFET 60V 79A 8.4 mOhm Automotive MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRF1018ESTRR 技術(shù)參數(shù)

AUIRF1018ES 功能描述:MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:79A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 47A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2290pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF1018E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:79A（Tc）不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:69nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2290pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 47A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AUIRF1010ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2840pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2840pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 75A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AUIRF1010EZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 51A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2810pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRF1404Z AUIRF1404ZL AUIRF1404ZS AUIRF1404ZSTRL AUIRF1405 AUIRF1405ZL AUIRF1405ZS AUIRF1405ZS-7P AUIRF1405ZS-7TRL AUIRF1405ZSTRL AUIRF2804 AUIRF2804L AUIRF2804S AUIRF2804S-7P AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL7P AUIRF2804WL AUIRF2805