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AUIRFR1018ETR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說明
  • 操作
  • AUIRFR1018ETRR
    AUIRFR1018ETRR

    AUIRFR1018ETRR

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • I

  • DPAK

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • AUIRFR1018ETR
    AUIRFR1018ETR

    AUIRFR1018ETR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • IR

  • DPAK

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFR1018ETR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFR1018E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 79A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.4 毫歐 @ 47A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):69nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2290pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR024N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):370pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFP4568-E 功能描述:MOSFET N-CH 150V 171A TO247 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):171A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 103A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):227nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10470pF @ 50V 功率 - 最大值:517W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 AUIRFP4568 功能描述:MOSFET N-CH 150V 171A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):171A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 103A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):227nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10470pF @ 50V 功率 - 最大值:517W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 AUIRFP4409 功能描述:MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):69 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):125nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5168pF @ 50V 功率 - 最大值:341W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 AUIRFR3504 AUIRFR3504TRL AUIRFR3504Z AUIRFR3607 AUIRFR3710Z AUIRFR3806 AUIRFR3806TRL AUIRFR4104 AUIRFR4105 AUIRFR4105Z AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4292 AUIRFR4292TRL AUIRFR4615 AUIRFR4615TRL AUIRFR4620 AUIRFR4620TRL AUIRFR48Z
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