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AUIRFR2607ZTR

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AUIRFR2607ZTR
    AUIRFR2607ZTR

    AUIRFR2607ZTR

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • I

  • D-PAK

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • AUIRFR2607ZTRPBF
    AUIRFR2607ZTRPBF

    AUIRFR2607ZTRPBF

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • IR

  • TO-252

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • AUIRFR2607ZTRL
    AUIRFR2607ZTRL

    AUIRFR2607ZTRL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 22mOhms
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFR2607ZTR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFR2607Z 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1440pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR2407 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR2405 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2430pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR2307Z 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 32A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2190pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR120ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 5.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:310pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFR3806TRL AUIRFR4104 AUIRFR4105 AUIRFR4105Z AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4292 AUIRFR4292TRL AUIRFR4615 AUIRFR4615TRL AUIRFR4620 AUIRFR4620TRL AUIRFR48Z AUIRFR48ZTRL AUIRFR5305 AUIRFR5305TRL AUIRFR540Z AUIRFR540ZTRL AUIRFR5410
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