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AUIRFR4292TRR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 操作
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AUIRFR4292TRR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET Automotive Power MOSFET; 250V 345mOhm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFR4292TRR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFR4292TRL 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):345 毫歐 @ 5.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFR4292 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):345 毫歐 @ 5.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR4105ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24.5 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):740pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFR4105Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24.5 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):740pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR4105 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:68W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR540ZTRL AUIRFR5410 AUIRFR5410TRL AUIRFR5505 AUIRFR5505TRL AUIRFR6215 AUIRFR6215TRL AUIRFR8401 AUIRFR8401TRL AUIRFR8403 AUIRFR8403TRL AUIRFR8405 AUIRFR8405TRL AUIRFR9024N AUIRFR9024NTRL AUIRFS3004 AUIRFS3004-7P AUIRFS3004-7TRL
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