AUIRG4BC30USTRR

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封裝
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說明
操作

AUIRG4BC30USTRR
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
IR
D2PAK
22+
-
十年配單，只做原裝

AUIRG4BC30USTRR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
IR
D2PAK
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

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功能描述
IGBT 晶體管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

AUIRG4BC30USTRR 技術參數(shù)

AUIRG4BC30USTRL 功能描述:IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):92A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，12A 功率 - 最大值:100W 開關能量:160μJ（開），200μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:50nC 25°C 時 Td（開/關）值:17ns/78ns 測試條件:480V，12A，23 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRG4BC30U-S 功能描述:IGBT 600V 23A 100W D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):92A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，12A 功率 - 最大值:100W 開關能量:360μJ 輸入類型:標準柵極電荷:50nC 25°C 時 Td（開/關）值:17ns/78ns 測試條件:480V，12A，23 歐姆，15V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 基本零件編號:* 標準包裝:1,000 AUIRG4BC30SSTRL 功能描述:IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:34A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):68A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.6V @ 15V，18A 功率 - 最大值:100W 開關能量:260μJ（開），3.45mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:50nC 25°C 時 Td（開/關）值:22ns/540ns 測試條件:480V，18A，23 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRG4BC30S-S 功能描述:IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:34A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):68A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.6V @ 15V，18A 功率 - 最大值:100W 開關能量:260μJ（開），3.45mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:50nC 25°C 時 Td（開/關）值:22ns/540ns 測試條件:480V，18A，23 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFZ48ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRGP35B60PD-E AUIRGP4062D AUIRGP4062D1 AUIRGP4062D1-E AUIRGP4062D-E AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1-E AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E AUIRGP65A40D0 AUIRGP65G40D0 AUIRGP66524D0 AUIRGP76524D0 AUIRGPS4067D1 AUIRGPS4070D0 AUIRGR4045D