AUIRLS3114ZTRR

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型號(hào)
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封裝
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功能描述
MOSFET 40V 42A 4.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRLS3114ZTRR 技術(shù)參數(shù)

AUIRLS3114Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 56A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3617pF @ 25V 功率 - 最大值:143W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLS3036TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 165A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11210pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRLS3036-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 180A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11270pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRLS3036-7P 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 180A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11270pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLS3036 功能描述:MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 165A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11210pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLU3110Z AUIRLU3114Z AUIRLZ24NS AUIRLZ24NSTRL AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZL AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR