B82111E C22

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B82111E C22 技術(shù)參數(shù)

B82111BC24 功能描述:25μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 46 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:25μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:46 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:85MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.335" 直徑 x 1.389" 長（8.50mm x 34.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標準包裝:200 B82111BC23 功能描述:15μH Unshielded Wirewound Inductor 4A 24 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:15μH 容差:±20% 額定電流:4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:24 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:120MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.335" 直徑 x 1.389" 長（8.50mm x 34.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標準包裝:200 B82111BC22 功能描述:9μH Unshielded Wirewound Inductor 6A 12 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:9μH 容差:±20% 額定電流:6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:12 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.354" 直徑 x 1.389" 長（9.00mm x 34.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標準包裝:150 B82111BC21 功能描述:5μH Unshielded Wirewound Inductor 10A 5 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:5μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:5 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:175MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.374" 直徑 x 1.389" 長（9.50mm x 34.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標準包裝:150 B82111BC20 功能描述:20μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 54 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:20μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:54 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:125MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.236" 直徑 x 1.412" 長（6.00mm x 29.00mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標準包裝:200 B82111EC27 B82111EC28 B82111EC29 B82114RA1 B82114RA4 B82114RC1 B82114RC4 B82131A5151M B82131A5152M B82131A5202M B82131A5301M B82131A5301M000 B82131A5302M B82131A5401M B82131A5401M000 B82131A5402M B82131A5701M B82132A5151M