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B82422-T11682-J

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B82422-T11682-J 技術(shù)參數(shù)
  • B82422T1154K8 功能描述:150μH Unshielded Wirewound Inductor 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±10% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):- 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 B82422T1154K008 功能描述:FIXED IND 150UH SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±10% 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):- 不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.083"(2.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 B82422T1154K000 功能描述:FIXED IND 150UH SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±10% 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):- 不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.083"(2.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 B82422T1154K 功能描述:150μH Unshielded Wirewound Inductor 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±10% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):- 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 B82422T1154J000 功能描述:FIXED IND 150UH SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±5% 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):- 不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.083"(2.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 B82422T1182J000 B82422T1182K B82422T1182K000 B82422T1183J B82422T1183J000 B82422T1183K B82422T1183K000 B82422T1184J B82422T1184J000 B82422T1184K B82422T1184K000 B82422T1221J B82422T1221J000 B82422T1221K B82422T1222J B82422T1222J000 B82422T1222K B82422T1222K008
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