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B82422A1103K100V1

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    B82422A1103K100V1

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話(huà)：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1299

  • EPCOS

  • 3225

  • 2024+

  • -

  • 絕對(duì)現(xiàn)貨

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B82422A1103K100V1 技術(shù)參數(shù)
  • B82422A1103K100 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±10% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:27 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:25MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422A1103J108 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.6 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:27 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:25MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:2.52MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 B82422A1103J100 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:27 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:25MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:2.52MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422A1102K108 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 340 mOhm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±10% 額定電流:380mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:340 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 B82422A1102K100 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 340 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±10% 額定電流:380mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:340 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422A1152J100 B82422A1152K100 B82422A1152K108 B82422A1153J100 B82422A1153K100 B82422A1182J100 B82422A1182K100 B82422A1183K100 B82422A1222J100 B82422A1222K100 B82422A1223J100 B82422A1223K100 B82422A1223K108 B82422A1272J100 B82422A1272J108 B82422A1272K100 B82422A1273J100 B82422A1273K100
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