B82464G2224M

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型號(hào)
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封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

B82464G2224M
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
EPCOS (TDK)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

B82464G2224M000
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
EPCOS
SMD
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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功能描述
固定電感器 SMT-INDUCTOR 10X10 220UH 0.5A
RoHS
否
制造商
AVX
電感
10 uH
容差
20 %
最大直流電流
1 A
最大直流電阻
0.075 Ohms
工作溫度范圍
- 40 C to + 85 C
自諧振頻率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接類型
SMD/SMT
封裝 / 箱體
6.6 mm x 4.45 mm

B82464G2224M 技術(shù)參數(shù)

B82464G2223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:1.52A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:- 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2202M 功能描述:2μH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2μH 容差:±20% 額定電流:4.5A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:14 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2154M 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 610mA 840 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:150μH 容差:±20% 額定電流:610mA 電流 - 飽和值:590mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:840 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2153M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 90 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:15μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:1.85A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:90 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2683M B82464G2752M B82464G2821M B82464G4102M B82464G4103M B82464G4104M B82464G4105M B82464G4152M B82464G4153M B82464G4154M B82464G4222M B82464G4223M B82464G4224M B82464G4273M B82464G4273M000 B82464G4332M B82464G4333M B82464G4334M