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BAT15-099RE6327
深圳市深美諾電子科技有限公司
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聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質：營業(yè)執(zhí)照
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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
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5000
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BAT15-099RE6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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BAT15-099RE6327
深圳市桂鵬科技有限公司
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聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐
電話：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D（地王大廈周邊）
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制造商
Siemens
功能描述
SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, MIXER DIODE

BAT15-099RE6327 技術參數(shù)

BAT15099E6433HTMA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 4V 110mA 100mW PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基 - 2 個獨立式電壓 - 峰值反向（最大值）:4V 電流 - 最大值:110mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:PG-SOT143-4 標準包裝:10,000 BAT15099E6327HTSA1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 4V 110MA SOT-143 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:肖特基 - 2 個獨立式電壓 - 峰值反向（最大值）:4V 電流 - 最大值:110mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 工作溫度:150°C（TJ）封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:PG-SOT143-4 基本零件編號:BAT15-099 標準包裝:1 BAT1505WH6327XTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 4V 110mA 100mW PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:肖特基 - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:4V 電流 - 最大值:110mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BAT1505WE6327HTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 4V 110mA 100mW PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:肖特基 - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:4V 電流 - 最大值:110mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BAT1504WH6327XTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110mA 100mW PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基 - 1 對串聯(lián) 電壓 - 峰值反向（最大值）:4V 電流 - 最大值:110mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BAT1704WE6327HTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 BAT1705E6327HTSA1 BAT1705WE6327HTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 BAT1706WE6327HTSA1 BAT1706WH6327XTSA1 BAT1707E6327HTSA1 BAT17E6327HTSA1 BAT18,215 BAT18,235 BAT1804E6327HTSA1 BAT1805E6327NTSA1 BAT20JFILM BAT2402ELSE6327XTSA1 BAT2402LSE6327XTSA1 BAT240AE6327HTSA1 BAT240AE6433HTMA1