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BB664(4)

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BB664(4)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業(yè)執(zhí)照
10423
PHILIPS
SOD523
2024+
-
絕對現(xiàn)貨

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BB664(4) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BB664(4) 技術參數(shù)

BB659H7902XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.9pF @ 28V，1MHz 電容比:14.7 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:3,000 BB659CH7912XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.75pF @ 28V，1MHz 電容比:15.3 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:8,000 BB659CH7903XTMA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.75pF @ 28V，1MHz 電容比:15.3 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:10,000 BB659CH7902XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.75pF @ 28V，1MHz 電容比:15.3 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:3,000 BB659C02VH7912XTSA1 功能描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.75pF @ 28V，1MHz 電容比:15.3 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:PG-SC79-2 標準包裝:1 BB6X26CC-SB/2DC-LHS BB6X26-SB/2DC-LHS BB-75.000MBE-T BB-75.000MCE-T BB75070001 BB7603 BB7603R BB-77.760MBE-T BB-77.760MCE-T BB7X26CC-SB/2DC-LHS BB7X26-SB/2DC-LHS BB7X26-SB/DC,TC-LHS BB-80.000MBE-T BB-80.000MCE-T BB804,215 BB804SF1E6327HTSA1 BB804SF2E6327HTSA1 BB8062N