BC858C E-6327

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BC858C E-6327 技術(shù)參數(shù)

BC858C 功能描述:IC TRANS PNP SS GP 100MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 基本零件編號:BC858 標準包裝:1 BC858BWT1G 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標準包裝:3,000 BC858BWT106 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:210 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:3,000 BC858BWT1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標準包裝:3,000 BC858BWH6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時間晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BC858C-HF BC858CLT1 BC858CLT1G BC858CLT3G BC858CMTF BC858CW-7-F BC858CWE6327BTSA1 BC858CW-G BC858CWH6327XTSA1 BC858W,115 BC858W,135 BC859AMTF BC859B,215 BC859BLT1 BC859BLT1G BC859BLT3G BC859BMTF BC859BW,115