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BC858CDWT1G

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  • BC858CDWT1G
    BC858CDWT1G

    BC858CDWT1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2100

  • ON

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨庫存!400-800-030...

  • BC858CDWT1G
    BC858CDWT1G

    BC858CDWT1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6550

  • ON

  • SOT-363

  • 201311+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存!400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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BC858CDWT1G 技術(shù)參數(shù)
  • BC858CDW1T1G 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:380mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC858CDW1T1 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:380mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC858C-7-F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC858C RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -30V, -0.1A, 42 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC858C 功能描述:IC TRANS PNP SS GP 100MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:310mW 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 基本零件編號:BC858 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC858CMTF BC858CW-7-F BC858CWE6327BTSA1 BC858CW-G BC858CWH6327XTSA1 BC858W,115 BC858W,135 BC859AMTF BC859B,215 BC859BLT1 BC859BLT1G BC859BLT3G BC859BMTF BC859BW,115 BC859BW,135 BC859C,215 BC859C,235 BC859CE6327HTSA1
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