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BCR135L3

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  • BCR135L3
    BCR135L3

    BCR135L3

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐/歐陽(yáng)先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號(hào)

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 600

  • Infineon

  • SOT0603

  • 20+

  • -
  • 科思奇現(xiàn)貨庫(kù)存

  • BCR135L3
    BCR135L3

    BCR135L3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BCR135L3
    BCR135L3

    BCR135L3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 250000

  • INFINEON

  • TSLP3

  • 最新批次

  • -
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  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • NPN Silicon Digital Transistor
BCR135L3 技術(shù)參數(shù)
  • BCR135E6433HTMA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR135E6359HTMA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP SOT23 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR135E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCR133WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR133WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR141WE6327HTSA1 BCR141WH6327XTSA1 BCR142B6327HTLA1 BCR142E6327HTSA1 BCR142WE6327HTSA1 BCR142WH6327XTSA1 BCR146E6327HTSA1 BCR148E6327HTSA1 BCR148E6393HTSA1 BCR148E6433HTMA1 BCR148SE6327BTSA1 BCR148SE6433HTMA1 BCR148SH6327XTSA1 BCR148SH6433XTMA1 BCR148WE6327BTSA1 BCR148WH6327XTSA1 BCR158E6327HTSA1 BCR158WE6327HTSA1
配單專家
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