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BD681OS

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BD681OS 技術(shù)參數(shù)
  • BD681G 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD681 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 BD680G 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD680ASTU 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:14W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD680AS 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:14W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:250 BD68620EFV-E2 BD68710EFV-E2 BD68715EFV-E2 BD68720EFV-E2 BD6873KN-E2 BD6874GLS-E2 BD6874GSW-E2 BD6875GLS-E2 BD6883GUL-E2 BD6884GUW-E2 BD6886GUL-E2 BD6889GU-E2 BD6909AEFV-E2 BD6920FP-E2 BD6922FV-E2 BD6923FV-E2 BD6941FM-E2 BD6961F-E2
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