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BDY13-10

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • NPN Silicon Planar Trnasistors
BDY13-10 技術參數(shù)
  • BDX54TU 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 BDX54-S 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BDX54CTU 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 BDX54C-S 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BDX54CG 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:65W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BDZW9 BDZW95 BDZX108 BDZX167 BDZX190 BDZX204 BDZX71 BDZX73 BDZX74 BE 12 BE 30 BE 60 BE 9 BE05-1A66-P BE05-1A85-P BE05-2A85-P BE05-2A88-P BE-10-20
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